半導體投資擴張 設備廠營運點火 | 上市電子 | 股市 | 聯合新聞網 親愛的網友：為確保您享有最佳的瀏覽體驗，
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，今年全球半導體資本支出金額將持續擴增；其中，
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，三星仍居第一大，
漸進式排名
，英特爾以120億美元躍居第二大，年增率更達兩成，台積電（2330）因此退居第三，不過，台廠設備廠中，包括弘塑、京鼎及均豪等廠，今年業績仍可望因台積電資本支出維持高檔而受惠。據研調機構IC Insights統計，去年全球半導體資本支出金額達679.82億美元，年增4%；以各大廠排名來看，三星資本支出113億美元，位居第一大，台積電102.49億美元，居第二大，英特爾因為只有96.25億美元，排名第三。至於去年資本支出達28.42億美元新高而中國大陸晶圓代工廠中芯國際積極擴產，去年資本支出一口氣拉高到26.26億美元，年增率達到87%，為去年資本支出前11大半導體廠中，增幅最大的廠商。展望今年，IC Insights預估，全球半導體資本支出將達723.05億美元，會比去年再增加6%，三星將以125億美元，穩居第一大寶座，年增一成。而去年放緩資本支出步調的英特爾，今年在衝刺7奈米帶動下，IC Insights預估，資本支出可望達到120億美元，較去年成長25%，且將超越台積電的100億美元，拿下第二名；相較之下，今年資本支出持平的台積電，則退居第三大。IC Insights統計指出，在前十大半導體廠，有兩家今年資本支出成長在兩成以上，分別是英特爾的25%和格羅方德（GF）的33%。其中，格羅方德去年因產能閒置，資本支出大減62%，今年已決定跳過10奈米，直接挑戰7奈米製程，使全年資本支出拉高到20億美元，另外，因去年初動態隨機存取記憶體（DRAM）報價疲軟，使三星、SK海力士兩家記憶體廠去年分別削減資本支出13%和14%。隨著DRAM市況改善，三星、SK海力士預估將增加資本支出11%與16%。，